Лекции в интституте кристаллографии имени А.В. Шубникова РАН
Интститут кристаллографии имени А.В. Шубникова Российской академии наук
Объявление: Цикл лекций для студентов, аспирантов, молодых ученых сотрудников по специальности "Физика конденсированного состояния" и "Кристаллография, физика кристаллов".
Лекции по широкому кругу вопросов читаются ведущими специалистами ИК РАН в доступной и увлекательной форме, знакомят с имеющимися достижениями в конкретных областях.
Целью лекций является привлечение молодежи, начинающей свой путь в науке, к решению актуальных фундаментальных и прикладных научно-технических проблем.
Лекции будут читаться еженедельно, с февраля по март (весенний семестр) и с сентября по ноябрь (осенний семестр), в конференц-зале ИК РАН, в 11.00 (длительность - один академический час).
15 февраля Член-корреспондент РАН Х.С. Багасаров "Методы выращивания кристаллов"
22 февраля Член-корреспондент РАН Х.С. Багасаров "Проблемы высокотемпературной кристаллизации"
Приглашаются все желающие.
АДРЕС ИНСТИТУТА: Москва, Ленинский проспект,59
ПРОЕЗД: от м. "Октябрьская" или от м. "Ленинский проспект" троллейбусами №№ 4, 33, 62, 84 до остановки "Универмаг Москва";
от м. "Университет" троллейбусом № 4 до остановки "Университетский проспект", автобусом № 119 до остановки "ул. Дмитрия Ульянова";
от м. "Академическая" пешком (15 минут).
Объявление: Цикл лекций для студентов, аспирантов, молодых ученых сотрудников по специальности "Физика конденсированного состояния" и "Кристаллография, физика кристаллов".
Лекции по широкому кругу вопросов читаются ведущими специалистами ИК РАН в доступной и увлекательной форме, знакомят с имеющимися достижениями в конкретных областях.
Целью лекций является привлечение молодежи, начинающей свой путь в науке, к решению актуальных фундаментальных и прикладных научно-технических проблем.
Лекции будут читаться еженедельно, с февраля по март (весенний семестр) и с сентября по ноябрь (осенний семестр), в конференц-зале ИК РАН, в 11.00 (длительность - один академический час).
15 февраля Член-корреспондент РАН Х.С. Багасаров "Методы выращивания кристаллов"
22 февраля Член-корреспондент РАН Х.С. Багасаров "Проблемы высокотемпературной кристаллизации"
Приглашаются все желающие.
АДРЕС ИНСТИТУТА: Москва, Ленинский проспект,59
ПРОЕЗД: от м. "Октябрьская" или от м. "Ленинский проспект" троллейбусами №№ 4, 33, 62, 84 до остановки "Универмаг Москва";
от м. "Университет" троллейбусом № 4 до остановки "Университетский проспект", автобусом № 119 до остановки "ул. Дмитрия Ульянова";
от м. "Академическая" пешком (15 минут).